复享光学系列光纤光谱仪，覆盖紫外至近红外波段，满足科研与工业检测需求
光纤光谱仪采用光纤作为光信号传输介质，具有体积小、灵活便携、抗干扰等优势。复享光学（Ideaoptics）系列产品涵盖微型通用型、高灵敏型、高分辨型、制冷型、近红外、等离子体专用、工业高速、高分辨成像及半导体刻蚀监控光谱仪，适用于科学研究、LED 分拣、膜厚分析、LIBS 光谱测量、荧光拉曼检测、半导体工艺监控等多种应用场景。
200~1100nm 全波谱 / 消除高阶衍射 CCD
选用进口高品质 Richardson 闪耀光栅，灵敏度提升 20%，杂散光降低 50%。采用双闪耀技术，搭载紫外敏化 CCD，将有效波段拓展至 200~1100nm，置于复享新一代 72.5mm 焦距/对称/非交叉 C-T 光学平台。
| 探测范围 | 200~1100nm |
|---|---|
| 波长分辨率 | 最优 0.11nm（1800 线光栅） |
| 光学分辨率 | 最高 0.24nm（FWHM） |
| 探测器 | Sony, 2048 pixels CCD |
| 光学平台 | 焦距 72.5mm, f/6, 对称非交叉 C-T 光路 |
| 积分时间 | 1ms ~ 60s |
| 动态范围 | 2000:1 |
| 信噪比 | 250:1（饱和时） |
| 杂散光 | < 0.1%（@600nm） |
| 光纤接口 | SMA905 |
| 数据传输 | USB 2.0 |
| 尺寸 | 128 × 90 × 27mm³ |
| 重量 | 0.41kg |
高达 0.04nm 波长分辨率 / LIBS 光谱测量
采用高分辨光学平台，100mm 焦距和 0.11 数值孔径组合，在不增大体积的情况下达到分辨率与灵敏度平衡。EX 双闪耀光栅在宽谱段范围内拥有更均匀的响应，1ms 内设定新的积分时间。
| 探测范围 | 200~1100nm |
|---|---|
| 波长分辨率 | 最高 0.04nm（1800 线光栅） |
| 光学分辨率 | 最高 0.12nm（FWHM） |
| 探测器 | Toshiba, 3648 pixels CCD |
| 光学平台 | 焦距 100mm, f/4.5, 对称交叉 C-T 光路 |
| 积分时间 | 4ms ~ 60s |
| 动态范围 | 优于 2000:1 |
| 信噪比 | 优于 300:1（饱和时） |
| 杂散光 | < 0.1%（@600nm） |
| 光纤接口 | SMA905 |
| 数据传输 | USB 2.0 |
| 尺寸 | 157 × 115 × 41.5mm³ |
| 重量 | 0.81kg |
背照式 CCD / 芯片级制冷 / 1000:1 信噪比
采用面阵背照式 CCD 探测器，内置芯片级制冷器，可将 CCD 工作温度降至室温下 40°C，实现 1000:1 超高信噪比。适用于荧光光谱、拉曼光谱等微弱信号检测。
| 信噪比 | 1000:1（超高） |
|---|---|
| 制冷温度 | 室温下 -40°C |
| 探测器 | 面阵背照式 CCD |
| 制冷方式 | 芯片级制冷 |
900~2500nm 近红外波段
覆盖 900~2500nm 近红外波段，支持瞬态 1ms 光谱采集，高速高灵敏度。适用于食品、药品等实验室和在线分析领域。
| 光谱范围 | 900~2500nm |
|---|---|
| 采集速度 | 1ms |
| 应用领域 | 近红外分析 |
0.06nm 高分辨能力 / 纳秒级时序精度 / 190~1100nm 多通道
搭载 CMOS 探测器，支持多通道设计，最高支持 0.06nm 高分辨率，能实现光谱极近特征峰的分辨。时序控制精确至纳秒级，能避开脉冲激光和连续辐射，测到激发后 1μs 左右较强原子谱线信号，有利于微量元素检测，深度适配 LIBS 应用场景。
详情请访问：BLAZE 产品页面
| 探测范围 | 200~1100nm（有效信号从 190nm 起） |
|---|---|
| 波长分辨率 | 最高 0.02nm（3600 线光栅） |
| 光学分辨率 | 最高 0.06nm (FWHM)（3600 线光栅，10μm 狭缝） |
| 探测器 | Hamamatsu, 2048/4096 pixels CMOS |
| 光学平台 | 焦距 72.5mm, f/7.5, 对称 C-T 光路 |
| 积分时间 | 9μs ~ 60s |
| 动态范围 | 4500:1 |
| 信噪比 | BZ2000: 300:1 / BZ4000: 335:1 |
| 杂散光 | 0.05%~1%（取决于光栅） |
| 光纤接口 | SMA905 |
| 数据传输 | USB / 千兆以太网 |
| 触发模式 | 9 种触发模式，触发延时 380ns~60s 可调（步长 20ns） |
| 尺寸 | 147 × 111 × 45mm³ |
| 重量 | 700g |
| 电源 | 12~24VDC, 3W |
复享光学还提供以下光谱仪产品，满足不同场景需求。
最高 70% 紫外响应 / 2048×64 超大感应面 / 200~1100nm 全波谱
采用 Hamamatsu 面阵背照式 CCD，相比 PG2000 紫外灵敏度提升约 7 倍。280 & 760nm 双闪耀光栅，配备 LVF 消高阶滤光片，基于 100.0mm 焦距光学平台，在 200~1100nm 全波谱提供均衡灵敏度与较高分辨率。基于 ExtremeDR™ 技术，动态范围高达 16000:1，近饱和信噪比 600:1。
| 探测范围 | 200~1100nm（具体视光栅而定） |
|---|---|
| 波长分辨率 | 最高 0.07nm（1800 线光栅） |
| 光学分辨率 | 最高 0.12nm (FWHM)（1800 线光栅，10μm 狭缝） |
| 探测器 | Hamamatsu, 2048×64 pixels, 面阵背照式 CCD |
| 消除高阶衍射 | 3 种前置、4 种后置滤光片可选 |
| 光学平台 | 焦距 100mm, f/4.5, 交叉 C-T 光路 |
| 积分时间 | 6ms ~ 30s |
| 动态范围 | ≥16000:1 |
| 信噪比 | ≥600:1 |
| 杂散光 | < 0.5% |
| 矫正线性度 | ≥99% |
| 光纤接口 | SMA905 |
| 数据传输 | USB 2.0（Type-B） |
| 扩展功能口 | 30 pin，支持 BreakOut-Board 扩展 |
| 触发模式 | Normal / Level / Edge / Synchronization |
| 尺寸 | 157 × 115 × 44mm³ |
| 重量 | 1kg |
| 功耗 | 2.5W @ 5V DC |
适用于高校光学实验教学，结构清晰、操作简便，助力光学人才培养。
新一代微型光谱仪，更小体积、更高性能，适合嵌入式与便携式应用。
名片尺寸 / 最高像素 4096pixel / 最快速率 2000f/s
专为工业客户设计，体积仅 92 × 66 × 34mm³，结构稳定，温漂抑制 ~0.15pixel/°C。采用 42mm 焦长，同条件下灵敏度比 FX2000 提高至 3 倍。首次采用可选配探测器，兼容 CMOS 和 CCD 多款探测器，可更换狭缝 10~200μm 多种配置。
| 探测范围 | 200~1000nm（具体视光栅而定） |
|---|---|
| 光学分辨率 | 最优 0.3nm (FWHM)（取决于光栅和狭缝） |
| 像素数 | 2048 / 3648 / 4096 pixels 可选 |
| 光学平台 | 焦距 42mm, f/4, 非对称交叉 C-T 光路 |
| 温度漂移 | ~0.15 pixel / °C |
| 矫正线性度 | > 99% |
| 入射狭缝 | 10 / 25 / 50 / 100 / 200 μm 可选 |
| 光纤接口 | SMA905 / FC/PC |
| 数据传输 | USB3.0 Type-C / RS-232 |
| 外部触发 | 9 个模式，含 8 种触发模式 |
| 尺寸 | 91.9 × 65.5 × 33.7mm³ |
| 重量 | 0.28kg |
| A/D 位数 | 16-bit |
| 认证 | EMC / RoHS |
0.1nm 典型分辨率 / 双入双出 / 像散校正
基于像散校正的光路优化设计，实现 0.05~0.1nm 超高分辨率、高灵敏度与高波长准确性。采用光栅在轴旋转方式提高光栅利用率，分辨率增加技术可同时将分辨率和峰强度进一步提高 40%。波长准确性 ±0.2nm，重复性 ±0.02nm，具备一键校正功能。双入双出设计，可选配多款塔轮并支持自动识别。
| 焦距 | 320mm |
|---|---|
| 相对孔径 | f/4.6 |
| 扫描波长范围 | 0~1500nm |
| 焦平面尺寸 | 30 × 14mm |
| 光谱分辨率（CCD） | 0.1nm（典型值） |
| 倒线色散 | 2.07nm/mm |
| 扫描步长 | 0.002nm / step |
| 光栅尺寸 | 68 × 68mm |
| 大光路配置 | 双入双出（单入单出 / 单入双出可选） |
| 波长准确性 | ±0.2nm（校准后） |
| 波长重复性 | ±0.02nm |
| 塔轮规格 | 最多 3 个塔轮，每个支持 3 片光栅 |
| 像差校正 | 像散校正 |
| 光轴高度 | 160~186mm |
* 以上规格基于 1200g/mm 光栅、435.8nm 波长测定；CCD 分辨率在焦平面中心、10μm 狭缝、546nm 处测得
半导体刻蚀专用 / 动态范围 40000:1 / Fab 级品质
专为半导体刻蚀工艺设计的光谱检测方案，通过与头部客户的深度打磨和产线验证，满足 6、8、12 寸制程刻蚀工艺需求。单帧采集最大动态范围突破 40000:1，优于同类国外产品，能有效提取深孔和多晶硅刻蚀过程中的弱信号。配备 ideaEPD Fab 专用工艺软件，支持自定义终点算法、工艺终点分析、高速采样监控和刻蚀深度监控。
| 应用场景 | 半导体刻蚀工艺光谱检测 |
|---|---|
| 适配制程 | 6 / 8 / 12 寸晶圆刻蚀工艺 |
| 动态范围 | 单帧采集 >40000:1 |
| 信号特性 | 高灵敏、高信噪比 |
| 工艺覆盖 | 金属刻蚀、单/多晶硅刻蚀、化合物刻蚀、高速清洗 |
| 配套软件 | ideaEPD — Fab 专用工艺软件 |
| 软件功能 | 自定义终点算法、工艺终点分析、高速采样监控、刻蚀深度监控 |
| 多腔监控 | 最多同时监控 10 台腔体 |
| 环境适应 | Fab 无尘室生产环境 |
| 行业标准 | 匹配半导体行业标准 |